SJ 20788-2000 半导体二极管热阻抗测试方法
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ID： |
CBB333C95E174A45A1691021DBA1BDBB |
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文件大小(MB)： |
0.82 |
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13 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 20788—2000,半导体二极管热阻抗测试方法,Measurment method for thermal impedance of semiconductor diodes,200070-20 发布2000-10-20 实施,中华人民共和国信息产业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体二极管热阻抗测试方法SJ 20788—2000,Measurment method for thermal impedance of semiconductor diodes,1范围,1.1 主题内容,本标准规定了半导体二极管的稳态热阻和瞬态热阻抗的测试方法,1.2 适用范围,本标准适用于整流二极管、瞬态电压抑制二极管、功率齐纳二极管和某些齐纳、信,号和开关二极管稳态热阻和瞬态热阻抗的测试,1.3 应用指南,被称为产品定向筛选エ序的瞬态热测试是热阻抗测试的ー个分支,它能确定二极管,芯片至基座交界面的导热能力,并且是芯片粘附导热性能的ー种量度。它适用于产品的,筛选エ艺。本方法可用于基座或导热管脚有关质量（重量）和热导率的设计,并可鉴别,芯片粘附质量。这对功率器件特别适用。本方法可用于产品监测、进厂检验和预老炼筛,选。某些齐纳结构,特别是当采用了较小的结面积设计时,当使用二极管的正向电流测,试时,由于加热电流引起的冷却太快，以致不能提供精确的测量。对这种器件，提供了,在齐纳方向施加电流的方法，并在最接近加热电流终止处进行测量。在此种方法中,不,包括少数载流子,并由于较小的电流而使电感效应减至最小。可认为此方法是ー种实验,室测量,因为在自动测试中电缆有一定长度，会妨碍在加热电流终止处进行测量，因而,影响测量准确度。本实验室法的目的是用于齐纳器件最初设计证实与先前确定产品测试,极限值的正向热阻抗测试（例如:自动测试）相对应,在正向产品保证中，必须相应保,证反向（齐纳）热阻抗不超过规定的极限值。如果此齐纳测试法超过正向法的10%或更,多时,那么，对某些器件,根据此更准确的实验室法（见5.3.1）,要降低产品监测（正向,自动测试）的极限值,半导体器件的稳态热阻和瞬态热阻抗对半导体芯片与封装之间的芯片粘附材料中的,空洞是有灵敏关系的,因为这些空洞妨碍热量从芯片向衬底（封装）流动。由于芯片和,封装的热时间常数不同，瞬态热响应的测量较稳态对空洞的存在更灵敏。这是因为芯片,的热时间常数一般比封装小几个数量级,于是,可这样选择加热功率脉冲宽度,使它略,大于芯片热时间常数,而小于封装（衬底）的热时间常数，这样，在加热脉冲时间内,仅仅芯片和芯片与衬底的交界面被加热。对各种管壳设计，1.400 ms的加热功率脉冲宽,度可满足此判据。这就极大地增加了时空洞的探测能力,另ー个优点是被测器件无须另,加热沉。丁丒是,瞬态热阻抗或热响应技术是ー项耗时较少的技术，可用来作为制造中的,中华人民共和国信息产业部2000-10-20发布2000-10-20 实施,-1 -,SJ 20788—2000,筛选、L序控制或进厂检验测量等芯片粘附完整性的评价,2引用文件,GB 128A—97半导体分立器件试穽あ法,3定义,本标准采用GJB 128A中的定义,3.1 参数符号,本正向测试法所用的参数符号如下（当使用齐纳法时,见本章中的注）：,a.作:对结温敏感的被测器件（DUT）的正向偏置结电压,%:施加热功率以前的初始％值,Vfft移去热功率之后的最后昨值,b.イ%:由于对被测器件施加热功率,温度敏感参数阵的变化量,c.ム:为产生功率耗散,在加热时间周期内施加到被测器件的电流,d./:对被测器件施加电流ん所引进的加热电压,e,降:加热功率脉冲值:ム和路的积,f. %:将几施加到被测器件的持续时间,g.ん:为测量片,施加于正向偏置温度敏感二极管结的测量电流,h. &d:测量延迟时间,该时间从加热功率（Pの移去开始至最后昨测试时间（参,见“W）开始,i. /sw：取样窗ロ时间,在该时间内进行最后県测量。“W值应尽量小,当采用示,波器测量时,4w可以接近零,j. VTC-,在固定ん值时，昨对刀的电压温度系数,以mV/K为单位,k. K:热校准系数，等于P7C的倒数，以K/mV为单位,I. CU:比较单位。等于A%被ル除,瞬态热响应是对耗散功率变化的归ー化，以,mV”为单位,m. q被测器件的结温,n,イ冷施加几引起药的变化,时间等于％,o. Zthj_x：从器件结到确定的基准点的某时间的热阻抗,以K/W为单位,Zthj_c：从器件结到与器件芯片直接相邻的管壳外表面上的点测得的热阻抗,使,用的时间等于器件的时间常数，以K/W为单位,P,蜃ケバ从器件结到确定的基准点热阻,以K/W为单位,&j-C:从器件结到り器件芯片直接相邻的管壳外表面上的点的热阻,以K/W为,单位,&j-a:从器件结到环境的热阻,以K/W为单位,注:① 当他用齐纳法时,本标准中无论何处出现下列定义都应作相应的改变:,文字符号:ん改为生,蚱改为ンZL,ム改为シH,に改为ブZLi,2,SJ 20788—2000,%f改为%,ハカ改为APzl,词组:正向偏置改为反向偏置.,② 当使用齐纳法时,A蚱、K和CU参数值与正向偏置法相比应有显著的差别,不同的标,称齐纳电压也会出现一些差别,4 一般要求,测试的一般要求应符合GJB 128A的第4章,5测试设备,本测试所要求的设备应包括适用于规定测试步骤的下列设备（按图1所示的配置）：,$ %,ソ,-,<-<,图1二极管的热阻抗测试装置,5.1.1 恒流源,具有对ん值校准的能力,并能……
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